當(dāng)客戶咨詢壓電陶瓷的使用溫度時，我們經(jīng)常會遇到各種問題壓電陶瓷能耐高溫嗎? 可以使用低溫環(huán)境陶瓷嗎？ 溫度對壓電陶瓷有很大影響嗎？ 今天，讓我們來談?wù)劀囟葘弘娞沾傻挠绊憽?/p>

　　 壓電陶瓷材料的性能取決于溫度 溫度的變化將極大地改變壓電陶瓷的性能 例如，靜電容量和損耗因子會隨著溫度的升高而增加，而過高的溫度會降低性能和使用壽命。 因此，溫度是影響實驗結(jié)果的一個非常重要的因素 建議用戶在不同應(yīng)用環(huán)境下的實驗過程中考慮溫度因素。

　　 溫度的升高會導(dǎo)致壓電陶瓷的介電常數(shù)發(fā)生明顯的變化，即壓電陶瓷的靜電容量會發(fā)生變化，并且壓電陶瓷的靜電容量會從室溫到80℃增加約40 %。

　　 壓電陶瓷的應(yīng)用溫度范圍？

　　 這取決于壓電陶瓷材料的居里溫度 我們通常使用的堆疊型壓電陶瓷PST 150系列居里溫度為155℃ 推薦的安全使用溫度為- 25～80℃ 對于高壓壓電陶瓷hs / ht材料，居里溫度為340℃ 推薦的安全使用溫度約為175℃。 低壓和高溫壓電陶瓷能耐受的溫度是200℃。

　　 壓電陶瓷的儲存溫度范圍？

　　 建議儲存溫度為- 5～40℃，相對濕度小于40 %。

　　 動態(tài)運行控制器的選擇；

　　 當(dāng)壓電陶瓷動態(tài)操作時，由于壓電陶瓷膨脹和收縮期間的內(nèi)摩擦，大約5 % - 20 %的驅(qū)動電能被轉(zhuǎn)換成壓電陶瓷產(chǎn)生的熱量。

　　 當(dāng)壓電陶瓷動態(tài)工作時，會產(chǎn)生熱量，溫度也會上升 。此時，壓電陶瓷的靜電容量將相應(yīng)地增加。因此，當(dāng)選擇匹配控制器時，不能簡單地根據(jù)參數(shù)表中室溫下測量的靜電容量來計算所需電流。

　　 居里溫度:

　　 壓電陶瓷的居里溫度是磁轉(zhuǎn)變的溫度 當(dāng)壓電陶瓷達(dá)到居里溫度點時，壓電陶瓷將產(chǎn)生永久去極化 壓電陶瓷的居里溫度越近，壓電陶瓷的性能變化就越大 因此，在使用壓電陶瓷的過程中，它必須遠(yuǎn)低于居里溫度，并且zui不高于居里溫度的一半。  不同材料壓電陶瓷的居里溫度點不同 通常，低壓層疊壓電陶瓷的居里溫度點約為150 - 200℃，低壓高溫壓電陶瓷的站溫點約為340℃，高壓壓電陶瓷的居里溫度約為215 - 340℃。

　　 熱膨脹系數(shù)是多少？

　　 低溫疊層共燒壓電陶瓷(在- 40 ~ 120℃范圍內(nèi))的軸向線性膨脹系數(shù)為負(fù)- 5 ppm /℃，高壓壓電陶瓷的軸向線性膨脹系數(shù)為+ 2 ppm /℃。

　　 壓電應(yīng)變能力有變化嗎？

　　 壓電陶瓷的應(yīng)變能力e 位移/電壓用d33系數(shù)表示在材料參數(shù)表中 與室溫操作相比，當(dāng)溫度降低時，應(yīng)變能力相應(yīng)降低。 當(dāng)在超低溫下工作時，壓電效應(yīng)大大降低。 溫升對d33的影響取決于所用壓電陶瓷材料的居里溫度。 軟材料的壓電效率略有下降 當(dāng)溫度升高到80℃時，當(dāng)工作電壓為0 - 150 v時，疊置壓電陶瓷PST 150 / 5x 5 / 20的位移約為19 μm，室溫下約為20 μm。 高溫壓電陶瓷材料主要是hs / ht 當(dāng)溫度升至100℃時，壓電效率提高約5 %。

　　 在高溫環(huán)境下操作壓電陶瓷怎么樣？

　　 許多應(yīng)用可以在高溫環(huán)境下運行 此時，標(biāo)準(zhǔn)壓電陶瓷已經(jīng)不能滿足用戶的需求 只能選擇具有特殊材料的高溫壓電陶瓷該內(nèi)核可提供堆疊NAC 6024系列或xmt系列機(jī)械封裝壓電陶瓷，用于明天的高溫200℃環(huán)境，并可用于150℃環(huán)境。

　　 需要壓電陶瓷的高動態(tài)操作 如何降低溫度?

　　 在一些需要高頻振動的應(yīng)用中，如精密加工和主動振動控制，如何控制壓電陶瓷高頻內(nèi)摩擦引起的溫升?  我們通常的方法主要是明天外部空氣冷卻或核心的熱穩(wěn)定以及散熱片裝置的快速熱傳導(dǎo)，從而降低高頻發(fā)熱對壓電陶瓷造成損壞的風(fēng)險。 明天選擇核心熱穩(wěn)定劑可以將壓電陶瓷的動態(tài)功率提高三倍以上。

　　 壓電陶瓷能抵抗低溫嗎？

　　 當(dāng)然，內(nèi)核可以提供壓電陶瓷，用于明天- 273℃的低溫。 然而，你需要知道的是，低于室溫的壓電陶瓷的壓電效應(yīng)會隨之降低，壓電陶瓷的輸出和位移也會大大降低 在低溫< 260 K時，損耗約為0 / K 在液氮條件下，壓電陶瓷的位移約為室溫的10 %。

　　  我們通常使用的壓電陶瓷片是半雙極壓電陶瓷，也就是說，壓電陶瓷能夠承受的負(fù)壓是最大正電壓的20 % 由于壓電陶瓷材料在低溫環(huán)境下抗去極化能力的急劇增加，有可能在超低溫環(huán)境下驅(qū)動壓電陶瓷雙極，從而實現(xiàn)雙位移。 例如，PST 150在77k低溫下將其應(yīng)變能力降低到室溫的20 %，但是40 %的室溫單極位移可以通過雙極方法獲得。

　　 在超低溫環(huán)境中，需要選擇導(dǎo)熱系數(shù)較低的錳銅線，以保持低溫環(huán)境不受影響。